《自然》系列期刊中国作者论文免费读：厦大、中大、中国科学院物理所
Springer Nature约 4 分钟据不完全统计，近期中国研究机构参与的研究有2篇发表在《自然》、1篇发表在《自然-电子学》、1篇发表在《自然-能源》上。扫描二维码即可免费阅读论文全文。
发表期刊：Nature《自然》
论文标题：互补的Alu序列调控增强子-启动子选择性（Complementary Alu sequences mediate enhancer–promoter selectivity）
通讯作者：Yuanchao Xue（中国科学院生物物理研究所）
第一作者：Liang Liang、Changchang Cao、Lei Ji、Zhaokui Cai（中国科学院生物物理研究所）
DOI：10.1038/s41586-023-06323-x
发表日期：2023年7月12日
论文导读：
增强子通过与远距离启动子相互作用，决定基因的时空表达特异性。然而，增强子与其同源启动子的配对机制至今仍不清楚。来自中国科学院生物物理研究所的研究团队利用其先前开发的RNA原位构象测序技术，构建了高信度增强子-启动子RNA互作图谱。基于这些图谱，研究团队发现增强子和启动子之间的配对选择特异性受到Alu序列的调控。研究人员进一步将非编码区风险突变映射到增强子-启动子RNA互作图谱，构建了突变-功能图谱以解释非编码突变的分子功能。这项研究揭示了决定增强子-启动子配对选择特异性的原则，并将非编码风险变异与其分子功能联系了起来。
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发表期刊：Nature《自然》
论文标题：高压下一种镍氧化物的80 K超导特征（Signatures of superconductivity near 80 K in a nickelate under high pressure）
通讯作者：Guang-Ming Zhang（清华大学）、Meng Wang（中山大学）
第一作者：Hualei Sun、Mengwu Huo（中山大学）
DOI：10.1038/s41586-023-06408-7
发表日期：2023年7月12日
论文导读：
迄今为止，铜氧化物是唯一一类超导转变温度（Tc）高于液氮沸点温度（77 K）的非常规超导体。来自中山大学和清华大学的研究团队结合高压电阻和互感磁化率测量，观察到La3Ni2O7单晶在14.0−43.5 GPa压力下存在Tc最高为80 K的超导电性。密度泛函理论计算表明，超导电性发生的同时伴随着费米面以下σ键（由3dz2轨道和连接双Ni-O层的顶端氧构成）的金属化。这项发现不仅揭示了这种镍氧化物高温超导电性的重要线索，而且为高温超导的机理研究提供了一类新的化合物。
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发表期刊：Nature Electronics《自然-电子学》
论文标题：基于大尺度半子晶格的拓扑诱导的手性光子发射（Topology-induced chiral photon emission from a large-scale meron lattice）
通讯作者：Yaping Wu、Rong Zhang、Junyong Kang（厦门大学）
第一作者：Xuefeng Wu、Xu Li、Wenyu Kang（厦门大学）
DOI：10.1038/s41928-023-00990-4
发表日期：2023年7月13日
论文导读：
半子是一类在面内磁性薄膜中产生的拓扑保护的准粒子结构。这种结构可作为信息载体并用于磁存储。然而，系统的规模、热稳定性和磁场要求阻碍着这类应用的开发。来自厦门大学的研究团队使用强磁场辅助的分子束外延方法，制备了在室温和零场条件下稳定的毫米级半子晶格。该晶格可用于从半子到电子再到光子的手性传递，还能用作氮化物基发光二极管的自旋注入端。这种拓扑诱导的自旋发光二极管能在室温和零场下实现22.5%的圆偏振电致发光。
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发表期刊：Nature Energy《自然-能源》
论文标题：发现富锰基NASICON型正极中的本征反占位缺陷（Identifying the intrinsic anti-site defect in manganese-rich NASICON-type cathodes）
通讯作者：Junmei Zhao（中国科学院过程工程研究所）、Yong-Sheng Hu（中国科学院物理研究所）
第一作者：Yuan Liu、Xiaohui Rong（中国科学院物理研究所）
DOI：10.1038/s41560-023-01301-z
发表日期：2023年7月13日
论文导读：
富锰基NASICON型正极材料因其原材料丰富，在高工作电压下具有优良的循环性能，引起了人们的广泛关注。但其充电/放电曲线存在明显的电压滞后，导致可逆容量较低，从而阻碍了其应用。来自中国科学院物理所和过程工程所的研究团队证实，富锰基NASICON型正极（Na3MnTi(PO4)3）中的电压滞后与材料合成中产生的本征反占位缺陷（IASD）密切相关。此外，研究团队还开发了一种Mo掺杂策略以减小缺陷浓度，将初始库伦效率从76.2%提升至85.9%。这项研究阐明了NASICON型正极电压滞后的原因，并为高性能聚阴离子电极的设计提供了指导。
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