西安交大：每秒10万次记忆储存，有机电化学晶体管赋能高频人工神经 |《自然-电子学》论文

Springer Nature2025年03月27日约 3 分钟

近期来自西安交通大学的研究团队在《自然-电子学》发表了论文“一种基于均质集成有机电化学晶体管的高频人工神经”（A high-frequency artificial nerve based on homogeneously integrated organic electrochemical transistors），欢迎阅读文章了解详情。

论文导读：

用于神经修复和脑机接口的人工神经需具备感知、处理和记忆功能，并且要与生物神经的工作频率相近。n型有机电化学晶体管的正电位触发增强行为能模仿生物细胞的行为，因此有望成为人工神经的构件。然而，由于离子和电子传输以及存储性能差，这类器件在易失性和非易失性存储上表现不佳，并且响应慢。

来自西安交通大学的研究团队介绍了一种基于均质集成有机电化学晶体管的高频人工神经。他们设计了一种具有梯度双连续结构的垂直n型有机电化学晶体管，同时增强了离子和电子传输与离子存储。这种晶体管可实现27 μs的易失性响应、100-kHz的非易失性记忆频率和长时间的电导记忆。由此构建的集成人工神经包含垂直n型和p型有机电化学晶体管，可在高频域中实现感知、处理和记忆功能。该人工神经还可植入神经功能受损的动物模型，并使其恢复基础条件反射能力。