厦门杀出260亿超级独角兽：全球第一

铅笔道2025年04月28日约 5 分钟

作者丨直八最近，厦门杀出一个超级独角兽：瀚天天成，向港交所发起IPO冲刺。它的核心产品之一是：碳化硅半导体外延晶片，这是一种制造电子器件的高性能材料。瀚天天成成立于2011年，是全球首家实现8英寸碳化硅外延片大规模外供的企业，也是中国第一家实现3英寸至8英寸外延片商业化量产的企业。这是一家标准的超级独角兽。2024年12月Pre-IPO轮融资后，公司估值约260亿元。 2023年，中国外延片市场规模约88亿元，预计2025年达到200亿元。本文将详细拆解：这家超级独角兽背后，藏着一个怎样的隐秘赛道。 - 01 - 产业链上下游 瀚天天成收入占比最高的产品是6英寸碳化硅外延晶片，2024年占公司总收入的86.2%。这是一种用于半导体行业的高性能材料，主要用于制造高压、高频、高温及高功率电子器件。 2022年至2024年，公司营收分别为4.41亿元、11.43亿元和9.74亿元，其中2024年受行业价格战影响同比下滑14.8%，但净利润逆势增长至1.66亿元，主要依赖政府补助支撑（2024年补助占比达67.5%）。碳化硅半导体外延芯片产业链可拆解为：上游是原材料与设备。中游是外延片制造与芯片加工。下游是封装与应用。 1-1 上游：原材料与设备

1-2 中游：外延片制造与芯片加工

1-3 下游：封装与应用

- 02 - 赛道全景 2-1 碳化硅半导体外延晶片是什么？碳化硅半导体外延晶片（SiC Epitaxial Wafer）是碳化硅（SiC）半导体器件的核心基础材料，由碳化硅单晶衬底和作为基底材料，提供晶体结构和电学性能的基础，在衬底表面通过气相沉积（如MOCVD）生长的薄膜层，厚度通常为几十微米。 2-2分类介绍

2-3 市场规模及增速

碳化硅外延晶片市场由新能源汽车和光伏驱动高速增长，技术迭代聚焦高频、高压器件，未来7年CAGR超25%，中国市场增速领先。 2-4 碳化硅半导体外延晶片的发展阶段碳化硅外延芯片当前处于高速成长期（爆发期），核心驱动因素为新能源汽车、光伏需求爆发及技术工艺突破。碳化硅外延技术已成熟，专利年增长率低于30%，研发占比下降（头部企业研发费用占比约15-20%）。同时，碳化硅在新能源汽车、光伏领域已实现规模化商用，客户教育成本显著降低。并且行业标准尚未完全统一（如车规级认证标准仍在完善）。 2-5 碳化硅半导体外延晶片赛道的关键驱动因素

- 03 - 上游产业链剖析 3-1上游是什么

3-2上游的主攻任务及难点

3-3与国际的发展水平差异

3-4上游各环节的毛利率水平

3-5地位是否强势

国际强势领域：衬底制造（Wolfspeed垄断8英寸技术）；外延设备（Veeco/Aixtron控制高端市场）；高纯气体（日本昭和电工、美国Entegris垄断9N以上特气）。国内弱势领域：晶圆加工（超薄切割设备依赖日本DISCO）；技术研发（专利壁垒高，车规级标准缺失）。局部突破领域：国产设备（中微MOCVD设备毛利提升至28%）；普通材料（光刻胶、SiNx钝化膜国产化率超50%）。 3-6:主要代表玩家

- 04 - 中游产业链剖析 4-1中游是什么

4-2中游的主攻任务及难点

4-3与国际的发展水平差异

4-4中游各环节的毛利率水平

4-5地位是否强势

国际强势环节：外延生长（设备垄断+高毛利）；器件验证（标准与设计经验壁垒）。国内弱势环节：晶圆制造（光刻机被ASML垄断，国产良率低）；封装材料（DBC基板依赖日本DISCO）。局部突破领域：烧结银封装（华海诚科国产化，成本优势）；外延设备（中微MOCVD设备市占率提升至20%）。 4-6主要代表玩家

- 05 - 下游产业链剖析 5-1 下游是什么

5-2下游的主攻任务及难点

5-3 与国际的发展水平差异

5-4下游各环节的毛利率水平

5-5地位是否强势

国际强势环节：终端应用（车企采购溢价权）；技术支持（高端测试设备垄断）。国内弱势环节：封装材料（DBC基板、烧结银键合工艺）；认证体系（车规级AEC-Q101被国际垄断）。 5-6主要代表玩家

- 06 - 未来新机会点分析 碳化硅（SiC）半导体外延晶片的新机会点聚焦于技术突破、场景扩展与产业链协同三大方向。 6-1技术端：以大尺寸衬底（8英寸量产）和高纯度电子特气（9N+）为核心，推动国产MOCVD设备及烧结银封装工艺落地，目标客户为国际衬底代工厂（如Wolfspeed）、光伏逆变器厂商（阳光电源）及新能源汽车主驱逆变器企业（比亚迪）。 6-2应用端：围绕800V高压平台（适配特斯拉/蔚来车型）、1500V光伏逆变器及液冷服务器电源，开发车规级SiC MOSFET模块与高频低损耗驱动器件，绑定新势力车企（理想/小鹏）、电网设备商（国家电网）及工业自动化龙头（汇川技术）。 6-3产业链协同端：加速车规认证本土化（参考AEC-Q101）及国产设备替代（中微MOCVD设备市占率目标30%），服务国产车企（吉利/长城）及第三方检测机构（中汽研）。核心驱动力包括技术降本（8英寸衬底成本较6英寸降30%）、碳中和政策（光伏装机年增20%）及供应链安全（国产替代率目标2025年>40%），形成“技术迭代-场景渗透-国产自主”闭环。本文数据来源，特此感谢： • Yole Développement：碳化硅衬底/外延设备市场规模、技术趋势分析 • IHS Markit：车规级SiC器件市场份额、车企供应链数据 • SEMI：半导体设备市场统计（如MOCVD设备市占率） • 彭博新能源财经（BNEF）：光伏逆变器SiC渗透率、碳中和政策影响 • 赛迪顾问 • IEEE Xplore、Elsevier：SiC外延层缺陷密度（≤0.1 cm⁻²）、沟槽栅工艺优化论文 • 中国“十四五”半导体产业规划：第三代半导体（SiC）国产化目标 • TrendForce：光伏逆变器SiC模块价格趋势、市场份额。 • 集邦咨询：新能源汽车SiC主驱逆变器竞争格局。 • 《Applied Physics Letters》：SiC高温外延生长机理研究。 • 《IEEE Electron Device Letters》：SiC MOSFET沟槽栅结构优化方案 本文不构成任何投资建议。本文还参考了澎湃新闻、上海证券报等内容，一并致谢。图片源自AI。 铅笔道近期推出了一款爆炸产品——媒体VIP会员，核心亮点是：以一顿午餐的价钱，聘铅笔道为你的年度媒体顾问，1年6次专属顾问时间，做你媒体圈的贴身朋友。详情可以查看链接